患者表现为原发性甲状旁腺功能亢进(HPT)或三期甲状旁腺功能亢进。观察术前、术后早期和RFA后6个月的临床症状和实验室检查(包括血清钙、磷和完整甲状旁腺激素水平)。
背景:
- 原发性甲状旁腺功能亢进 (在一般人群中患病率<0.5%): - 甲状旁腺激素的自主分泌是由于 - 甲状旁腺瘤（-80%）大多数是孤立性 - 甲状旁腺增生（-20%） - 甲状旁腺癌 - 老年活女性人口占多数 - 继发性甲状旁腺功能钢筋 - 患者慢性肾功能疾病，对低钙血症的反应导致甲状旁腺激素升高 - 三发性甲状旁腺功能亢进（tertiary hyper-parathyroidism）：三发性甲状旁腺功能亢进症简称三发性甲旁亢,是在继发性甲旁亢基础上,由于腺体受到持久刺激,发展为功能自主的增生或肿瘤,自主分泌过多PTH所致。 通俗的说,继发性甲旁亢是机体钙磷代谢紊乱导致的反馈性病理生理变化,而三发性甲旁亢则是甲状旁腺的病理生理已经失代偿,其分泌PTH不再受钙离子、活性维生素D的调控。终末期肾脏疾病的患者，长期继发性甲状旁腺功能亢进→甲状旁腺增生→血清钙调节丢失 - 甲状旁腺瘤定位检查 典型的原发性甲状旁腺功能亢进和孤立性腺瘤的位置：超声检查 继发性甲状旁腺功能亢进，＞1 腺体不同程度增生或肥大 原发性或继发性甲状旁腺功能亢进伴有腺体异位→ Technetium-99m sestamibi 扫描 用techluron 定位- 99m 稳定扫描（敏感性 86%） - 难治性病变的处理 - 经典疗法：全切或次全切甲状旁腺（± 残余病变移位） - 热消融:2001年由Bennedpak等人(激光消融)(【Bennedbak 2014】和2002年由Hansler等人(2)进行射频消融(RFA)。【Hansler J 2002】其原理是利用热能诱导尽可能多的甲状旁腺/腺瘤坏死 1例原发HPT, 2例继发HPT，表现为骨质疏松、疲劳和骨痛。血清钙、磷、甲状旁腺素正常。患者拒绝接受手术，转而接受微创手术。
患者为甲状旁腺瘤（原发性甲状旁腺功能亢进）
获得书面知情同意，在局部麻醉和和静脉注射镇静药物。颈部伸展的体位完全暴露并消毒。超声引导下，穿刺部位注射局麻，使用带Icm工作尖端的18号射频电极和移动射击技术消融甲状旁腺。射频功率为35W，避免热损伤累及相邻结构为。治疗时甲状旁腺为高回声。最后按压颈部止血。没有观察到并发症，但在手术过程中疼痛是可以忍受的。术后6个月对患者进行上述异常血清的实验室检查，结果正常。 三发甲状旁腺功能亢进
电极产生较高的组织温度，导致实施组织凝固坏死，功能停止。因此。RFA和甲状旁腺功能亢进的手术有相同的目标——消除产生过量甲状旁腺激素的组织，这是导致患者临床症状的原因。
甲状旁腺瓣射频消融是治疗原发性或继发性/三发性HPT患者的可行方法，这些患者不适合手术或拒绝手术。这些病例增加了使用射频消融治疗甲状旁腺功能亢进的文献。由于其微创，对于有全身麻醉风险的老年人，RFA是可以接受的，这是一个显著的优势，特别是在第三次HPT组中。
此外，与手术相比，RFA在美容效果上优于手术，它不需要住院，它可能有助于以前颈部手术后组织萎缩或术后复发性甲状旁腺功能亢进的病例。
甲状旁腺功能亢进的其他消融方法有MWA和激光消融。一些研究【Zhuo Li 2017 Zhuo L 2019 Wei Y 2020 中日医院超声科 Fan BQ 2019 Li X 2019】表明MWA对于原发性和继发性HPT的治疗是安全有效的，在治愈率和术后并发症方面与RFA相比没有显著差异。激光消融的长期结果效果略差【 Androli M 2012】
随着技术水平的提高，射频消融与甲状旁腺切除术应具有相似的治疗效果。
为了在继发性/三发性HPT中获得良好的消融效果，超声检查发现的所有增生甲状旁腺都应进行消融。
关于消融边缘存在争议，倾向于完全覆盖病变，牺牲周围组织，如果解剖安全→效果良好且术后无低钙血症。
初始失败原因分析，持续/复发性甲状旁腺功能亢进: 无经验的手术者，双侧腺瘤(11%)或多腺瘤(21%)定位研究失败)，异位腺体，解剖困难。
文献中报道的消融方法的并发症发生率很低:
- 低钙(<2%);口服静脉补钙解决; - 喉返神经损伤-声音嘶哑(4%)。预防:双侧消融术分两次做 - 颈部血肿 - 甲状腺上动脉假性动脉瘤报告，患者因射频消融术治疗增生甲状旁腺和继发性甲状旁腺功能亢进患者，经超声引导下一次压迫消除【Tian S 2020】
- 穿刺部位感染
- 皮肤烫伤 1. Bennedbak 2014 2. Hansler J 2002 3. Peng C 2017（杭州中医院） 4. Ha JH 2020 5. Chen 2022 （北京天坛医院） 6. Ye J 2020 7. Peng CZ 2022 8. Zeng 2020 9. Wei Ying 2020 10. Ma H 2020 11. Wei 2021 12. Chen CC 2022 13. Ebrahiminik H 2022 14. Chai 2022 15. Ospina NS 2015 |
